Görsel mevcut değil
ISL9V3040S3S
ISL9V3040S3S Hakkında
ISL9V3040S3S, onsemi tarafından üretilen 430V çalışma voltajına sahip IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 21A maksimum collector akımı ve 150W maksimum gücü ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce(on) değeri 4V gate voltajında 6A akımda 1.6V olarak tanımlanmıştır. 17 nC gate charge ve 4.8µs off-delay zamanı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketi ile PCB entegrasyonu sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Lojik seviye giriş uyumluluğu ile entegre devre kontrolü kolaylaştırır. Ürün statüsü Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/4.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V