Görsel mevcut değil
ISL9V3040D3S
ISL9V3040D3S Hakkında
ISL9V3040D3S, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 430V maksimum collector-emitter gerilimi ve 21A maksimum collector akımı ile 150W güç seviyesinde çalışmaya uygun olup, sınıflandırılmış durumdadır. TO-252-3 (DPak) SMD pakette sunulan bu komponent, 1.6V üzerinden (4V gate geriliminde, 6A akımda) düşük on-state gerilimi sağlar. 17nC gate yükü ile hızlı anahtarlama (4.8µs off zamanı) kapasitesi bulunmaktadır. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanıma uygunluk gösterir. Güç kaynağı devrelerinde, motor kontrolörlerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/4.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V