Görsel mevcut değil
ISL9V3036S3S
ISL9V3036S3S Hakkında
ISL9V3036S3S, onsemi tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, 360V kollektor-emitter breakdown voltajında çalışmaktadır. 21A maksimum kollektor akımı ve 150W güç dağıtma kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 4.8µs kapalı duruma geçiş süresi ve 17nC kapı yükü özellikleriyle anahtarlama hızından ödün vermeden entegre edilebilir. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) olup, yerini ISL9V3642 gibi güncel alternatifler almıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/4.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
360 V