Görsel mevcut değil
ISL9V2540S3S
ISL9V2540S3S Hakkında
ISL9V2540S3S, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 430V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 15.5A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 166.7W maksimum güç kapasitesi ile şalter modlu güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 15.1nC kapı yükü ve 3.64µs açılış/kapanış süresi ile kontrol devrelerine uyum sağlayan özellikler sunmaktadır. Parça artık üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15.5 A
Gate Charge
15.1 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
166.7 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/3.64µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V