Görsel mevcut değil
ISL9V2040D3ST
ISL9V2040D3ST Hakkında
ISL9V2040D3ST, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 430V maksimum collector-emitter arıklama voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 130W maksimum güç dağıtımına sahiptir. 12nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir ve Td(on/off) 3.64µs değeriyle verimli komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücüleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Gate Charge
12 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
130 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/3.64µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V