Görsel mevcut değil
ISL9V2040D3S
ISL9V2040D3S Hakkında
ISL9V2040D3S, onsemi tarafından üretilen bir tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 430V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 130W güç derecelendirmesine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olan ISL9V2040D3S, 4V gate voltajında 6A akımda 1.9V Vce(on) değerine sahiptir. 12nC gate charge ve 3.64µs turn-off gecikmesi özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Motor kontrol, güç kaynakları ve indüktif yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bu IGBT, logic giriş türüne sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Gate Charge
12 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
130 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/3.64µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V