Görsel mevcut değil
IRGSL6B60KDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT NPT 600V 13A TO262
IRGSL6B60KDPBF Hakkında
IRGSL6B60KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V kollektör-emiter gerilimi ve 13A maksimum kollektör akımı ile çalışan bu bileşen, TO-262-3 paketinde sunulmaktadır. 90W maksimum güç harcaması ile anahtarlama uygulamalarında, özel olarak güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 18.2nC gate charge ve 110µJ on switching energy ile belirlenmiş enerji karakteristikleri vardır. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. Ürün obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
26 A
Gate Charge
18.2 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
90 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-262
Switching Energy
110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/215ns
Test Condition
400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V