Görsel mevcut değil
IRGS8B60KTRLPBF
IRGS8B60KTRLPBF Hakkında
IRGS8B60KTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. D2PAK yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 28A kolektör akımı ve 167W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Tc(on) ve Tc(off) değerleri sırasıyla 23ns ve 140ns olan bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 400V, 8A test koşullarında 2.2V Vce(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığı gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Anahtarlama kaybı 160µJ (açma ve kapama) düzeyindedir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
34 A
Gate Charge
29 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
160µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/140ns
Test Condition
400V, 8A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V