Görsel mevcut değil
IRGS6B60KDTRLP
IRGS6B60KDTRLP Hakkında
IRGS6B60KDTRLP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 13A kapasiteli tekil IGBT transistördür. NPT (Non Punch Through) tipi bu bileşen, maksimum 90W güç seviyesinde çalışır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında işletilebilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 5A kolektör akımında 2.2V olup, 70ns reverse recovery time ve 18.2nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Tc(on/off) sırasıyla 25ns/215ns'dir. 400V, 5A, 100Ohm test koşullarında ölçülen değerlerle endüstriyel konverter, güç kaynağı ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Üretim durumu: Obsolete.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
26 A
Gate Charge
18.2 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
90 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/215ns
Test Condition
400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V