Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
IRGS6B60KDPBF
IRGS6B60KDPBF Hakkında
IRGS6B60KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistörüdür. 13A nominal collector akımı ve 26A pulse akımı kapasitesiyle medium güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D2PAK) yüzey montaj kasa ile sağlanan bu bileşen, 90W maksimum güç dağıtımı özelliğine sahiptir. Gate yükü 18.2nC ve hızlı anahtarlama özellikleri (on: 25ns, off: 215ns) ile değişken frekans konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Vce(on) 2.2V@15V/5A ve 70ns reverse recovery time özellikleriyle verimli anahtarlama sağlar. Ürün status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
26 A
Gate Charge
18.2 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
90 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/215ns
Test Condition
400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V