Görsel mevcut değil
IRGS4B60KD1TRRP
IRGS4B60KD1TRRP Hakkında
IRGS4B60KD1TRRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi ile tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 11A collector akımı ve 63W güç yönetiminde çalışabilir. D2PAK yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında düşük geçiş enerjisi (73µJ açılış, 47µJ kapanış) ve kısa geçiş zamanları (22ns açılış, 100ns kapanış) sunmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Şu anda üretim dışı (Obsolete) olan bu IGBT, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
12 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
63 W
Reverse Recovery Time (trr)
93 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
73µJ (on), 47µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/100ns
Test Condition
400V, 4A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V