IRGS4715DTRRPBF

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-263-3
Açıklama: IGBT 650V D2-PAK

IRGS4715DTRRPBF Hakkında

IRGS4715DTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Surface mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 21A collector akımı ve 24A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 100W güç dağıtma yeteneği ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Düşük VCE(on) değeri (2V @ 15V, 8A) ve hızlı switching performansı (Td on/off 30ns/100ns) sayesinde inverter, motor sürücü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır (Obsolete).

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 21 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 24 A

Gate Charge 30 nC

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Part Status Obsolete

Power - Max 100 W

Reverse Recovery Time (trr) 86 ns

Supplier Device Package D2PAK

Switching Energy 200µJ (on), 90µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 30ns/100ns

Test Condition 400V, 8A, 50Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V