Görsel mevcut değil
IRGS4715DPBF
IRGS4715DPBF Hakkında
IRGS4715DPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 21A DC collector akımı ve 24A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 8A akımda 2V olup, düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 650V collector-emitter gerilimi ile orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılır. Switching energy değerleri (200µJ on, 90µJ off) ile verimli enerji dönüşümü gerçekleştirir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
86 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
200µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/100ns
Test Condition
400V, 8A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V