Görsel mevcut değil
IRGS4615DTRRPBF
IRGS4615DTRRPBF Hakkında
IRGS4615DTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maximum 23A collector akımı ve 99W güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 1.85V Vce(on) değeri ve 19nC gate charge özelliği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Enerji dönüştürme devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve switching güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 60ns reverse recovery time ve 30ns/95ns anahtarlama gecikmesi sayesinde yüksek frekanslı devrelere uygundur. Parça kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
99 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
70µJ (on), 145µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/95ns
Test Condition
400V, 8A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V