Görsel mevcut değil
IRGS30B60KTRRP
IRGS30B60KTRRP Hakkında
IRGS30B60KTRRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Maksimum 78A sürekli akım ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 370W güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket türüne sahip olup, -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akımda 2.35V olup, gate şarjı 102nC'dir. 46ns açılış ve 185ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü ve güç dönüştürme devreleri gibi alanlarda kullanılmaya uygundur. Ürün statüsü obsolete olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
102 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
370 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
350µJ (on), 825µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/185ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V