Görsel mevcut değil
IRGS15B60KDPBF
IRGS15B60KDPBF Hakkında
IRGS15B60KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 31A DC collector akımı kapasitesi ve 208W maksimum güç yönetimi özelliğine sahiptir. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile tasarlanmış olup, standart gate input türüne sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında hizmet verir. 34ns açılış ve 184ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-AC konvertörlerde, motor sürücü devrelerde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Ürün halen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Gate Charge
56 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
208 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
220µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
34ns/184ns
Test Condition
400V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V