Görsel mevcut değil
IRGS14C40LPBF
IRGS14C40LPBF Hakkında
IRGS14C40LPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 430V kolektör-emitter ters diyot gerilimi ve 20A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montajlı paket ile sunulur. 125W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, motor sürücülerinde, güç kaynağı devrelerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 27nC gate charge ve 900ns/6µs açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
D2PAK
Td (on/off) @ 25°C
900ns/6µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V