Görsel mevcut değil
IRGR4607DTRRPBF
IRGR4607DTRRPBF Hakkında
IRGR4607DTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/11A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 58W maksimum güç dağıtma kapasitesi, 9 nC gate charge ve 27ns/120ns açılma/kapanma gecikmesi özellikleriyle kompakt ve verimli tasarımlar için uygundur. 400V/4A test koşullarında Vce(on) değeri 2.05V olup, 48ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamayı destekler. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel sürücü, LED aydınlatma, adaptör ve UPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
9 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
58 W
Reverse Recovery Time (trr)
48 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
140µJ (on), 62µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
27ns/120ns
Test Condition
400V, 4A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V