Görsel mevcut değil
IRGR3B60KD2TRP
IRGR3B60KD2TRP Hakkında
IRGR3B60KD2TRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 7.8A DC kolektör akımı ve 15.6A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 52W maksimum güç dağıtımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13nC gate charge ile düşük sürüş gücü gerektiren devrelerde tercih edilir. Hızlı anahtarlama sürelerine (18ns açılış, 110ns kapanış) ve 77ns reverse recovery time'a sahiptir. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve genel endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7.8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
15.6 A
Gate Charge
13 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
52 W
Reverse Recovery Time (trr)
77 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
62µJ (on), 39µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/110ns
Test Condition
400V, 3A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V