Görsel mevcut değil
IRGR2B60KDTRLPBF
IRGR2B60KDTRLPBF Hakkında
IRGR2B60KDTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektor-emitter gerilim sınırlaması ile 6.3A sürekli ve 8A darbe akımında çalışabilir. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, motor sürücülerinde, güç dönüştürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 12nC kapı yükü ve 11ns açılış/150ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 35W güç dağıtabilir ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
8 A
Gate Charge
12 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
35 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
74µJ (on), 39µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/150ns
Test Condition
400V, 2A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V