Görsel mevcut değil
IRGPF50F
IRGPF50F Hakkında
IRGPF50F, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 900V collector-emitter breakdown voltajı ve 51A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247AC paketinde gelen bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel switching uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar. Maksimum 200W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 28A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V