Görsel mevcut değil
IRGP6660D-EPBF
IRGP6660D-EPBF Hakkında
IRGP6660D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V voltaj sınıfında çalışan Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponenttir. TO-247-3 paketlemesiyle sağlanan bu transistör, 60A nominal ve 95A maksimum kolektör akımında çalışır. 330W maksimum güç yönetim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Düşük gate charge (95 nC) ve hızlı switching karakteristiği (on: 60ns, off: 155ns) ile anahtarlama devrelerinde verimli performans sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 175°C) sayesinde çeşitli ortamlar için uygundur. Güç dönüştürme uygulamaları, invertörler, motor kontrol devreleri ve benzer yüksek güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. Ürün aktif üretimde olmayıp, muadil yeni serilere yönlendirme yapılmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
95 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
600µJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/155ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V