Görsel mevcut değil
IRGP6650D-EPBF
IRGP6650D-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRGP6650D-EPBF, 600V kollektör-emitter breakdown voltajına ve 80A maksimum kolektör akımına sahip bir IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrolü, enerji yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 1.95V düşük açılış voltajı (Vce(on)) ve 50ns ters kurtarma süresi ile verimliliği artırır. 40ns/105ns açılış/kapanış gecikmesi ve 300µJ/630µJ anahtarlama enerjisi ile hızlı ve kontrollü komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Maksimum 306W güç seçeneği ile orta güç uygulamalarına uygundur. (Durum: Obsolete)
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
75 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
306 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
300µJ (on), 630µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/105ns
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V