Görsel mevcut değil
IRGP4790D-EPBF
IRGP4790D-EPBF Hakkında
IRGP4790D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/140A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp ve hızlı komütasyon özellikleri sağlar. 210nC gate charge ve 50ns/200ns açılma/kapanma zamanı ile yüksek frekanslı anahtarlama devreleri, güç kaynakları, inverterler ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 455W maksimum güç yayımı ve 2V Vce(on) değerleri ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. Maksimum 175°C birleşim sıcaklığında çalışabilir. Bileşen obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
210 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
455 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.5mJ (on), 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/200ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V