Görsel mevcut değil
IRGP4760PBF
IRGP4760PBF Hakkında
IRGP4760PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 90A maksimum collector akımı ve 650V breakdown voltajı ile güç dönüştürme devrelerinde, invertörler, motor kontrol sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında çalışır. 145nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, Through Hole montajı destekler. Vce(on) değeri 2V olarak belirtilmiş olup, düşük doyum voltajı ile enerji kaybını minimize eder. Switching energy değerleri (1.7mJ açılış, 1mJ kapanış) ve Td (on/off) zamanlamaları 70ns/140ns tasarımcılara hızlı kontrol sağlayabilir. Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
325 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.7mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
70ns/140ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V