Görsel mevcut değil
IRGP4760-EPBF
IRGP4760-EPBF Hakkında
IRGP4760-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 90A maksimum collector akımı ve 325W maksimum güç kapasitesine sahiptir. 145nC gate charge ve 70ns/140ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 48A akımda 2V'tur. 400V uygulamalarda 48A testinde 10Ohm ve 15V parametreleriyle karakterize edilmiştir. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Güç dönüştürme, motor sürücüsü, inverter ve UPS gibi uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
325 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.7mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
70ns/140ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V