Görsel mevcut değil
IRGP4750D-EPBF
IRGP4750D-EPBF Hakkında
IRGP4750D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 70A kapasiteli IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 273W güç yönetebilen transistör, 2V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 105nC gate charge ve 150ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. İçinde bulunan 50ns on-delay ve 105ns off-delay, hızlı anahtarlama gerektirenişletme uygulamalarında tercih edilir. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve UPS sistemleri gibi güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu parça obsolete statüdedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
105 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
273 W
Reverse Recovery Time (trr)
150 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/105ns
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V