Görsel mevcut değil
IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF Hakkında
IRGP4266D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. Maksimum 140A DC collector akımı ve 300A pulse akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 455W maksimum güç dissipatif kapasitesi, düşük VCE(on) değeri (2.1V @ 15V, 75A) ve hızlı switching karakteristikleri (Td on: 50ns, Td off: 200ns) ile endüstriyel konvertörler, inverter ve switch-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 210nC gate charge ve 170ns reverse recovery time değerleri, kontrolör tasarımında hassas drive circuit gerektirir. TO-247-3 paketinde gelen bu komponentin çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. Ürün obsolete olup, yeni tasarımlarda güncelleme önerilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
210 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
455 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.5mJ (on), 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/200ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V