Görsel mevcut değil
IRGP4266-EPBF
IRGP4266-EPBF Hakkında
IRGP4266-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/140A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 450W güç tüketimi ve 300A darbe akımı özellikleri ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 2.1V sabit hal voltajı, 80ns açılış ve 200ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Switching energy değerleri (3.2mJ açılış, 1.7mJ kapanış) ile enerji verimi optimize edilmiş tasarım sunar. Motor sürücüleri, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve endüstriyel güç dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarını destekler.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
210 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
450 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
3.2mJ (on), 1.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
80ns/200ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V