Görsel mevcut değil
IRGP4263D1PBF
IRGP4263D1PBF Hakkında
IRGP4263D1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 90A DC kollektör akımı ve 192A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 145nC gate charge ve düşük anahtarlama enerjisi (on: 2.9mJ, off: 1.4mJ) özelliği sayesinde anahtarlama kayıpları en aza indirilir. 2.1V Vce(on) değeri ve 325W maksimum güç derecelendirmesi ile motor sürücüleri, inverterler, kaynak makinaları ve endüstriyel güç kontrol uygulamalarında tercih edilir. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-40°C ~ 175°C) ve 170ns reverse recovery time ile çalışma güvenilirliği sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
192 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
325 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
2.9mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
70ns/140ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V