Görsel mevcut değil
IRGP4263D-EPBF
IRGP4263D-EPBF Hakkında
IRGP4263D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 90A maksimum kolektör akımı ve 325W güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamalarına yönelik tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 145nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 2.9mJ turn-on ve 1.4mJ turn-off switching energy değerleri ile verimli enerji yönetimi sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, kaynak makineleri ve benzer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
192 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
325 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.9mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
70ns/140ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V