Görsel mevcut değil
IRGP4262D-EPBF
IRGP4262D-EPBF Hakkında
IRGP4262D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V kollektör-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 60A sürekli kollektör akımı ve 96A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Maximum 250W güç disipasyonu ile düşük gerilimde yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Gate yükü 70nC, Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 24A akımda 2.1V'tur. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter devreleri gibi anahtarlamalı güç elektronik sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Ürün artık üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
70 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
520µJ (on), 240µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/73ns
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V