Görsel mevcut değil
IRGP4063D1PBF
IRGP4063D1PBF Hakkında
IRGP4063D1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 100A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 kasa tipinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj ve akım uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 330W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile motor sürücüleri, inverterler, kaynak cihazları ve elektrik güç dönüştürme sistemlerinde kullanılmaktadır. 150 nC gate charge ve düşük switching energy (on: 1.4mJ, off: 1.1mJ) özellikleri ile verimli çalışma sağlar. Collector-emitter gerilim düşüşü (VCE(on)) 2.14V @ 15V, 48A, maksimum reverse recovery süresi 80ns olarak belirlenmiştir. -40°C ile +175°C arasında sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Üretim durumu kullanımdan kaldırılmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
192 A
Gate Charge
150 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/160ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.14V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V