Görsel mevcut değil
IRGP4063-EPBF
IRGP4063-EPBF Hakkında
IRGP4063-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 96A kolektör akımı ve 330W güç kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Trench IGBT teknolojisi sayesinde düşük gate charge (95 nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri (60ns açılış, 145ns kapanış) sunar. TO-247-3 paketinde üretilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri, enerji dönüştürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Bileşen artık üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
625µJ (on), 1.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/145ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.14V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V