Görsel mevcut değil
IRGP35B60PDPBF
IRGP35B60PDPBF Hakkında
IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 60A güç IGBT transistörüdür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek elektriksel verimlilik sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, endüstriyel motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri ve elektrik güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 308W güç yönetim kapasitesi ile darbe akımı 120A'ye kadar destekler. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasında değişir. Düşük Vce(on) değeri (2.55V @ 35A) ve hızlı anahtarlama karakteristiği (Td on/off: 26ns/110ns) ile enerji verimliliği arttırır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
160 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
308 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
220µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/110ns
Test Condition
390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V