Görsel mevcut değil
IRGP35B60PD-EP
IRGP35B60PD-EP Hakkında
IRGP35B60PD-EP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 60A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketlemesi ile sunulan bu komponent, maksimum 308W güç disipasyonuna sahiptir. 160nC gate charge ve 26ns/110ns ön-arka açılış zamanları ile yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.55V@15V/35A olup, 120A pulslu akım kapasitesi vardır. Endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol sürücüleri, şarj sistemleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi anahtarlamalı güç kaynakları uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
160 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
308 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
220µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/110ns
Test Condition
390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V