Görsel mevcut değil
IRGP30B120KD-EP
IRGP30B120KD-EP Hakkında
IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/60A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 300W güç yönetebilen transistör, 169 nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. Vce(on) değeri 4V (15V, 60A şartlarında) olan komponent, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, kaynak cihazları ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
169 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
300 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Test Condition
600V, 25A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V