Görsel mevcut değil
IRGIB6B60KD116P
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 11A 38W TO220FP
IRGIB6B60KD116P Hakkında
IRGIB6B60KD116P, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, 11A sürekli kolektör akımı ve 22A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 38W gücü işleyebilen ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolünde ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. 2.2V Vce(on) değeri ve 110µJ açılma / 135µJ kapanma switching enerjisi ile verimli çalışma sağlar. Obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
18.2 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Switching Energy
110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/215ns
Test Condition
400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V