Görsel mevcut değil
IRGC50B120UB
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IRGC50B120UB Hakkında
IRGC50B120UB, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) entegre devresi olup, maksimum 50A kolektör akımı ve 1200V gerilim dayanımına sahiptir. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15V gate gerilimi ve 50A akımda maksimum 3.5V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç elektronik sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Surface mount teknolojisine uyumlu olup, standart giriş tipi konfigürasyonundadır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V