Görsel mevcut değil
IRGC4275B
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IRGC4275B Hakkında
IRGC4275B, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. Die formunda sunulan bu bileşen, 650V collector-emitter breakdown voltajında ve 200A nominal akımda çalışmaya uygundur. 1.9V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 380 nC olup, on/off geçiş süreleri sırasıyla 130ns/280ns'dir. -40°C ile +175°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Elektrik ve endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücülerinde kullanılan kritik bir anahtarlama elemanıdır. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
380 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
130ns/280ns
Test Condition
400V, 200A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V