Görsel mevcut değil
IRGC35B60PB
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IRGC35B60PB Hakkında
IRGC35B60PB, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Die format pakette sunulan bu komponent, maksimum 600V collector-emitter bozulma voltajı ile çalışır. 15V gate voltajında 10A kollektör akımında maksimum 1.7V açık durum voltajına (Vce(on)) sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, şu anda üretim dışında olan bu bileşen, inverter, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir IGBT transistöründür.
Ürün Özellikleri
8 özellik
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V