Görsel mevcut değil
IRGC10B60KB
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IRGC10B60KB Hakkında
IRGC10B60KB, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) entegre devresidir. Bu tekil IGBT çipi, maksimum 10A collector akımı ve 600V collector-emitter bozulma gerilimi ile düşük güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. Standard giriş tipi ile kontrol edilen bu bileşen, 1.3V On-state gerilimi (Vce) ile verimli çalışma karakteristiğine sahiptir. Die pakajında sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Üretim durdurulmuş (obsolete) durumda olmasına rağmen, mevcut stoklar sınırlı uygulamalar için hala tedarik edilebilmektedir.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.3V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V