Görsel mevcut değil
IRGBF20F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT FAST 900V 20A TO-220AB
IRGBF20F Hakkında
IRGBF20F, Infineon Technologies tarafından üretilen 900V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20A nominal akım kapasitesi ve 60W maksimum güç dağıtımı özelliklerine sahiptir. Vce(on) değeri 4.3V (15V gate voltajında, 5.3A kollektör akımında) olarak belirlenmiştir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C junction sıcaklığı) sayesinde çeşitli endüstriyel ve elektrik uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlama tipi IGBT olarak tasarlanmış bu komponentin Vce(sat) karakteristikleri, düşük iletim kaybı gerektiren uygulamalara uygunluk sağlar. Through-hole montaj tipine sahip olan IRGBF20F, klasik PCB tasarımlarında kolaylıkla entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5.3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V