Görsel mevcut değil
IRGBC30FD2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
IRGBC30FD2 Hakkında
IRGBC30FD2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/31A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Entegre freewheeling diyodla birlikte gelen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V (Vce(on)) ile karakterize edilen düşük on-state voltajı, güç kaybını minimize eder. TO-220AB paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 100W'ye kadar güç hızlandırabilir. Elektrik motor sürücüleri, invertörler ve hızlı anahtarlamalı güç dönüştürücü devrelerinde uygulanır. Kesintiye uğramış durumdaki bu ürün, stok tükenene kadar temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V