Görsel mevcut değil
IRGB5B120KDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
IRGB5B120KDPBF Hakkında
IRGB5B120KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip NPT tipi IGBT transistördür. 12A sürekli kollektör akımı ile 89W maksimum güç kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 25nC gate charge ve 160ns reverse recovery time özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, enerji dönüştürücüler ve benzer yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
25 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
89 W
Reverse Recovery Time (trr)
160 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
390µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/100ns
Test Condition
600V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V