Görsel mevcut değil
IRG8P60N120KDPBF
IRG8P60N120KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P60N120KDPBF, 1200V breakdown voltage'a sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 100A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 420W maksimum güç disipasyonu, 345nC gate charge ve 2.8mJ açılış, 2.3mJ kapanış switching energy değerlerine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, kaynak makineleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) maksimum değeri 2V (15V gate, 40A collector akımında) olup düşük kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
345 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
420 W
Reverse Recovery Time (trr)
210 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/240ns
Test Condition
600V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V