Görsel mevcut değil
IRG8P60N120KD-EPBF
IRG8P60N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P60N120KD-EPBF, 1200V kollektör-emitter gerilimi ve 100A maksimum drain akımına sahip tekil IGBT transistördür. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 345 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum 420W güç kapasitesine sahip olan bileşen, güç kaynakları, motor kontrol cihazları, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Bileşen Obsolete (tükendi) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
345 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
420 W
Reverse Recovery Time (trr)
210 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/240ns
Test Condition
600V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V