Görsel mevcut değil
IRG8P50N120KDPBF
IRG8P50N120KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P50N120KDPBF, 1200V kollektör-emitter geriliminde çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 80A sürekli kollektör akımı ve 105A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor sürücülerinde ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 2V Vce(on) voltajı ile düşük iletim kaybı sağlar. 315nC kapı yükü ve 35ns/190ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün Obsolete (üretilmeyen) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
315 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/190ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V