Görsel mevcut değil
IRG8P50N120KD-EPBF
IRG8P50N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P50N120KD-EPBF, 1200V kolektör-emiter aralığında çalışan bir IGBT transistörüdür. 80A sürekli akım kapasitesine (105A pik değer) sahip olan bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 350W güç tüketimine ve 2V saturation voltajına (15V gate voltajında, 35A akımda) sahiptir. Gating karakteristiği 315nC ile tanımlanmış olup, iyileştirilmiş anahtarlama performansı için optimize edilmiştir (on: 2.3mJ, off: 1.9mJ). Reverse recovery time değeri 170ns olan bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli işletim sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
315 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/190ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V