Görsel mevcut değil
IRG8P40N120KDPBF
IRG8P40N120KDPBF Hakkında
IRG8P40N120KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 60A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 305W maksimum güç dissipasyonuna sahip olan cihaz, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 2V'dur. 240nC gate charge ve 80ns reverse recovery time değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Endüstriyel güç elektronikleri, motor sürücüleri, şarj cihazları ve solar inverter gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
240 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
305 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/245ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V